پیرا لائٹ نے ڈیٹا سینٹرز اور صنعتی استعمال کے لیے بہتر تھرمل استحکام اور کارکردگی کے ساتھ نئے ایس آئی سی ایم او ایس ایف ای ٹی کا آغاز کیا۔ Para Light launches new SiC MOSFETs with improved thermal stability and efficiency for data centers and industrial use.

پیرا لائٹ نے اپنے تھرما فلیٹ سی آئی سی ایم او ایس ایف ای ٹی کو لانچ کیا ہے، جو-25 ڈگری سیلسیس سے + 125 ڈگری سیلسیس تک مستحکم مزاحمت کے ساتھ کامیاب تھرمل کارکردگی کا دعوی کرتا ہے۔ Para Light has launched its ThermaFlat SiC MOSFETs, claiming breakthrough thermal performance with stable on-resistance from -25°C to +125°C. 650V اور 1200V ماڈل مزاحمت میں کم سے کم اضافہ دکھاتے ہیں، جس سے ٹھنڈک کی ضروریات کم ہوتی ہیں اور کارکردگی میں اضافہ ہوتا ہے۔ The 650V and 1200V models show minimal resistance increase, reducing cooling needs and boosting efficiency. ٹی او-<آئی ڈی 1> پیکیج میں کیلون سورس پن کا استعمال کرتے ہوئے، انہوں نے سوئچنگ کے نقصانات میں 35 فیصد تک کمی کی۔ Using a Kelvin source pin in a TO-247-4 package, they cut switching losses by up to 35%. ڈیٹا سینٹر پاور سپلائیز، انڈسٹریل ڈرائیوز، اور یو پی ایس سسٹمز کو نشانہ بناتے ہوئے، نئے آلات پیرا لائٹ کے ایس آئی سی ایم او ایس ایف ای ٹی مارکیٹ میں داخلے کو نشان زد کرتے ہیں، جس کا مقصد پاور الیکٹرانکس کے وشوسنییتا اور کارکردگی کے لیے ایک نیا معیار قائم کرنا ہے۔ Targeted at data center power supplies, industrial drives, and UPS systems, the new devices mark Para Light’s entry into the SiC MOSFET market, aiming to set a new standard for power electronics reliability and efficiency.