آر او ایچ ایم اور اونسیمی نے ای وی، شمسی اور توانائی کے نظاموں میں اعلی کارکردگی کے لیے نئے ایس آئی سی ایم او ایس ایف ای ٹی کا آغاز کیا۔ ROHM and onsemi launch new SiC MOSFETs for higher efficiency in EVs, solar, and energy systems.

ROHM نے TOLL پیکجوں میں اپنے SCT40xxDLL سلکان کاربائڈ MOSFETs کی بڑے پیمانے پر پیداوار شروع کردی ہے ، جو معیاری TO-263-7L پیکجوں کے مقابلے میں 39٪ بہتر تھرمل کارکردگی پیش کرتے ہیں ، 750V تک وولٹیج کی درجہ بندی اور 13mΩ سے 65mΩ تک آن مزاحمت کے ساتھ۔ ROHM has started mass production of its SCT40xxDLL silicon carbide MOSFETs in TOLL packages, offering 39% better thermal performance than standard TO-263-7L packages, with up to 750V voltage rating and on-resistances from 13mΩ to 65mΩ. اے آئی سرورز، توانائی کے ذخیرہ اور شمسی انورٹرز جیسے کمپیکٹ، اعلی طاقت والے ایپلی کیشنز کے لیے ڈیزائن کیے گئے، ان آلات میں 26 فیصد کم فوٹ پرنٹ اور 2.3 ملی میٹر اونچائی ہے۔ Designed for compact, high-power applications like AI servers, energy storage, and solar inverters, the devices feature a 26% smaller footprint and 2.3mm height. ستمبر 2025 سے ڈسٹری بیوٹرز کے ذریعے دستیاب، تخروپن ماڈل بھی فراہم کیے جاتے ہیں۔ Available through distributors starting September 2025, simulation models are also provided. دریں اثنا، اونسیمی نے T2Pak ٹاپ کول پیکجوں میں 650V اور 950V ElieSiC MOSFET لانچ کیے، جو بہتر کولنگ، کم درجہ حرارت، اور برقی گاڑیوں، شمسی اور توانائی ذخیرہ کرنے کے نظام میں بجلی کی زیادہ کثافت کے لیے براہ راست ہیٹ سنک جوڑے کو قابل بناتے ہیں۔ Meanwhile, onsemi launched 650V and 950V ElieSiC MOSFETs in T2Pak top-cool packages, enabling direct heatsink coupling for improved cooling, reduced temperatures, and higher power density in electric vehicles, solar, and energy storage systems.