چین میں محققین نے موجودہ متبادلات سے 10, 000 گنا تیز رفتار فلیش میموری ٹیک پوکس کی نقاب کشائی کی۔ Researchers in China unveil PoX, a flash memory tech 10,000 times faster than current options.

چین کی فودان یونیورسٹی کے محققین نے پی او ایکس نامی ایک نئی فلیش میموری ٹیکنالوجی تیار کی ہے، جو ڈیٹا کو ایک بٹ فی 400 پیکو سیکنڈ کی بے مثال رفتار سے ذخیرہ کر سکتی ہے۔ Researchers at Fudan University in China have created a new flash memory technology called PoX, which can store data at an unprecedented speed of one bit per 400 picoseconds. یہ غیر اتار چڑھاؤ والی میموری، جو بجلی کے بغیر ڈیٹا کو برقرار رکھنے کی صلاحیت رکھتی ہے، موجودہ فلیش میموری سے تقریبا 10, 000 گنا تیز ہے اور روایتی اتار چڑھاؤ والی میموری کی اقسام جیسے ایس آر اے ایم اور ڈی آر اے ایم کو نمایاں طور پر پیچھے چھوڑ دیتی ہے۔ This non-volatile memory, capable of retaining data without power, is about 10,000 times faster than current flash memory and significantly outperforms traditional volatile memory types like SRAM and DRAM. یہ اختراع ممکنہ طور پر اے آئی سسٹمز اور کنزیومر الیکٹرانکس میں اسٹوریج کے حل میں انقلاب برپا کر سکتی ہے، جس سے تیز رفتار آپریشن اور کم بجلی کی کھپت پیش کی جا سکتی ہے۔ The innovation could potentially revolutionize storage solutions in AI systems and consumer electronics, offering faster operation and lower power consumption.