یونیورسٹی آف مشی گن جدید گرمی مزاحم سلکان کاربائڈ سیمی کنڈکٹر تیار کرنے کے لیے 7. 5 ملین ڈالر کے منصوبے کی قیادت کرتی ہے۔ University of Michigan leads a $7.5 million project to develop advanced heat-resistant silicon carbide semiconductors.

مشی گن یونیورسٹی گرمی مزاحم سلکان کاربائڈ (ایس آئی سی) سیمی کنڈکٹر تیار کرنے کے لیے 7. 5 ملین ڈالر کے منصوبے کی قیادت کرتی ہے، جس کی ابتدائی فنڈنگ 2. 4 ملین ڈالر ہے۔ The University of Michigan leads a $7.5 million project to develop heat-resistant silicon carbide (SiC) semiconductors, with initial funding of $2.4 million. اس پہل کا مقصد ناسا کی ٹیکنالوجی کو بڑھانا، ایس آئی سی چپ ڈیزائن کو زیادہ قابل رسائی بنانا اور ایرو اسپیس، دفاع، قابل تجدید توانائی اور برقی گاڑیوں میں ایپلی کیشنز کو آگے بڑھانا ہے۔ The initiative aims to scale up NASA's technology, making SiC chip design more accessible and advancing applications in aerospace, defense, renewable energy, and electric vehicles. کلیدی شراکت داروں میں ناسا، جی ای ایرو اسپیس، اوزرک انٹیگریٹڈ سرکٹس، اور وولف سپیڈ شامل ہیں۔ Key partners include NASA, GE Aerospace, Ozark Integrated Circuits, and Wolfspeed.