آر او ایچ ایم اور ٹی ایس ایم سی نے جدید مینوفیکچرنگ سے فائدہ اٹھاتے ہوئے برقی گاڑیوں کے لیے جی اے این پاور ڈیوائسز تیار کرنے کے لیے شراکت داری کی۔ ROHM and TSMC partner to develop GaN power devices for electric vehicles, leveraging advanced manufacturing.

آر او ایچ ایم اور ٹی ایس ایم سی نے برقی گاڑیوں کے لیے گیلیئم نائٹرائڈ (جی اے این) پاور ڈیوائسز تیار کرنے کے لیے شراکت داری قائم کی ہے۔ ROHM and TSMC have formed a partnership to develop gallium nitride (GaN) power devices for electric vehicles. جی اے این سلکان سے بہتر ہائی وولٹیج اور ہائی فریکوئنسی خصوصیات پیش کرتا ہے، جو چارجرز اور انورٹرز جیسے ای وی اجزاء کے لیے کلیدی حیثیت رکھتا ہے۔ GaN offers better high-voltage and high-frequency properties than silicon, which is key for EV components like chargers and inverters. یہ تعاون آر او ایچ ایم کی ڈیوائس ٹیکنالوجی کو ٹی ایس ایم سی کے جی اے این مینوفیکچرنگ کے عمل کے ساتھ جوڑتا ہے، جس کا مقصد آٹوموٹو کے شعبے میں جی اے این کو اپنانے کو فروغ دینا ہے۔ This collaboration combines ROHM's device technology with TSMC's GaN manufacturing process, aiming to boost GaN's adoption in the automotive sector.