ایس ٹی مائکرو الیکٹرانکس نے بجلی کی کارکردگی ، کثافت اور مضبوطی کو نشانہ بناتے ہوئے ای وی ٹریکشن انورٹرز کے لئے چوتھی نسل کے سی سی موسفیٹ ٹکنالوجی کا آغاز کیا۔ STMicroelectronics launches 4th-gen SiC MOSFET tech for EV traction inverters, targeting power efficiency, density, and robustness.

ایس ٹی مائکرو الیکٹرانکس نے اپنی چوتھی نسل کے سلکان کاربائڈ (سی سی) MOSFET ٹیکنالوجی کا آغاز کیا ہے ، جس کا مقصد بجلی کی گاڑیوں (ای وی) کے ٹریکشن انورٹرز کے لئے بجلی کی کارکردگی ، کثافت اور مضبوطی کو بہتر بنانا ہے۔ STMicroelectronics has launched its fourth-generation silicon carbide (SiC) MOSFET technology, aimed at improving power efficiency, density, and robustness for electric vehicle (EV) traction inverters. 750V کلاس کوالیفائیڈ ہے ، جس میں Q1 2025 تک 1200V کی توقع ہے۔ The 750V class is qualified, with 1200V expected by Q1 2025. یہ ٹیکنالوجی اعلی طاقت صنعتی ایپلی کیشنز کی بھی حمایت کرتی ہے، جس سے کارکردگی میں اضافہ ہوتا ہے اور ای وی میں وزن کم ہوتا ہے۔ The technology also supports high-power industrial applications, enhancing performance and reducing weight in EVs. ایس ٹی نے برقی نقل و حرکت اور پائیداری کو بڑے پیمانے پر اپنانے کے لئے ٢٠٢٧ تک مزید اختراعات کا منصوبہ بنایا ہے۔ ST plans further innovations through 2027 to drive mass adoption of electric mobility and sustainability.