شین ایٹسو کیمیکل سیمی کنڈکٹر کی کارکردگی کو بہتر بنانے کے لئے 300 ملی میٹر جی اے این سبسٹریٹ تیار کرے گا۔ Shin-Etsu Chemical to develop 300-mm GaN substrate for enhanced semiconductor performance.

شین-ایسو کیمیکل کمپنی ، لمیٹڈ 300 ملی میٹر گیلیم نائٹرائڈ (GaN) ایپلی کیشنز کے لئے ڈیزائن کیا گیا ایک QSTTM سبسٹریٹ تیار کرنے کے لئے تیار ہے۔ Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. is set to develop a QST™ substrate designed for 300-mm gallium nitride (GaN) applications. اس جدت کا مقصد سیمی کنڈکٹر آلات کی کارکردگی اور کارکردگی کو بڑھانا ہے ، جو سیمی کنڈکٹر سیکٹر میں ٹیکنالوجی کو آگے بڑھانے کے لئے کمپنی کے عزم کی عکاسی کرتا ہے۔ This innovation aims to enhance the performance and efficiency of semiconductor devices, reflecting the company's commitment to advancing technology in the semiconductor sector.