توشیبا نے جاپان میں پاور سیمی کنڈکٹرز کے لیے 300-mm ویفر فیبریکیشن کی سہولت مکمل کی، جو ایک کثیر سالہ سرمایہ کاری پروگرام کے فیز 1 کو نشان زد کرتی ہے۔ Toshiba completes 300-mm wafer fabrication facility for power semiconductors in Japan, marking Phase 1 of a multi-year investment program.

توشیبا نے جاپان میں کاگا توشیبا الیکٹرانکس کارپوریشن میں پاور سیمی کنڈکٹرز کے لیے 300-mm ویفر فیبریکیشن کی ایک نئی سہولت مکمل کر لی ہے۔ Toshiba has completed a new 300-mm wafer fabrication facility for power semiconductors at Kaga Toshiba Electronics Corporation in Japan. یہ سنگ میل توشیبا کے کثیر سالہ سرمایہ کاری پروگرام کے فیز 1 کے آغاز کی نشاندہی کرتا ہے۔ This milestone marks the start of Phase 1 of Toshiba's multi-year investment program. اس سہولت میں زلزلے سے متعلق تنہائی کا ڈھانچہ، بجلی کے بے کار ذرائع، اور قابل تجدید توانائی سے چلائے جائیں گے۔ The facility features a seismic isolation structure, redundant power sources, and will be powered by renewable energy. مالی سال 2024 کی دوسری ششماہی میں بڑے پیمانے پر پیداوار شروع ہونے کی توقع ہے، توشیبا کی پاور سیمی کنڈکٹر کی پیداواری صلاحیت مالی 2021 کے مقابلے میں 2.5 گنا بڑھ جائے گی۔ Mass production is expected to begin in the second half of fiscal year 2024, increasing Toshiba's power semiconductor production capacity by 2.5 times compared to fiscal 2021.